复合掺杂氧化物La1-xSrxGa1-yMgyO3-δ的结构与电性能研究

第２２卷第３期　２００６年６月　天津理工大学学报　Ｖｏ１．２２　Ｎｏ．３　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＴＩＡＮＪＩＮ　ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ　ＯＦ　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ　Ｊｕｎ．２０ｏ６　文章编号：１６７３－０９５Ｘ（２００６）０３．００３４－０５　复合掺杂氧化物　Ｌａ１一　Ｓｒ　Ｏａ１一ｙ　Ｍｇｙ　０３—６　的　结构与电性能研究　赵　捷　，王志奇　，包俊成　，马　叙　，李建平　（１．天津理工大学材料科学与工程学院，天津３００１９１；２．东北大学轧制技术及连轧自动化国家重点实验室，沈阳１１０００４）　摘要：用固相反应法合成低价离子Ｓｒ、Ｍｇ复合掺杂的ＡＢＯ３型氧化物　９Ｓｒｏ。Ｇａｏ　８５Ｍｇｏ。５Ｏ２　８，５（ＬＳＧＭ１０１５）　９　Ｓｒｏ　ｌＧａｏ　７５Ｍｇｏ　２５Ｏ２　８２５（ＬＳＧＭ１０２５）；借助ＥＤＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、直流四电极法等对ＬＳＧＭ１０１５和ＬＳＧＭ１０２５的微区成分、晶　体结构、断面显微组织及导电性等进行研究．ＥＤＳ和ＸＲＤ分析表明：合成的ＬＳＧＭ１０１５和ＬＳＧＭ１０２５样品中杂质元　素很少，且具有正交钙钛矿结构，基本上不合杂相；电导率测试结果表明：在６７３～１０７３　Ｋ温度区间，其电导率与温度　的关系符合Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ定律，说明ＬＳＧＭ１０１５和ＬＳＧＭ１０２５为氧离子导体，且离子迁移活化能Ｅａ一１　ｅＶ；Ｓｒ、Ｍｇ复合掺　杂量较多（　＋Ｙ：０．３５）的ＬＳＧＭ１０２５具有较高的离子电导率．　关键词：复合掺杂氧化物；钙钛矿结构；氧离子导体；固体电解质；　中图分类号：ＴＱ１７４．７５　文献标识码：Ａ　Ｓｔｕｄｙ　ｏｎ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｙ　ｏｆ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｌｙ　ｄｏｐｅｄ　ｏｘｉｄｅ　Ｌａ１ｓｒｘＧａ】ｙＭｇｙＯ３一　一一ｎ　ＺＨＡＯ　Ｊｉｅ　，ＷＡＮＧ　Ｚｈｉ—ｑｉ　，ＢＡＯ　Ｊｕｎ．ｃｈｅｎｇ　，ＭＡ　Ｘｕ　，ＬＩ　Ｊｉａｎ—ｐｉｎｇ　（１．Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉ．ａｎｄ　Ｅｎｇ．，Ｔｉａｎｊｉｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｔｉｎｊａｉｎ　３００１９１，Ｃｈｉｎａ；２．Ｒｏｌｌｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ　ａｎｄ　Ｔａｎｄｅｍ　Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ　Ｎａｔｉｏｎａｌ　Ｋｅｙ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ，Ｎｏｒｔｈｅａｓｔｅｒｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈｅｎｙａｎｇ　１１０００４，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｌｙ　Ｄｏｐｅｄ　Ｏｘｉｄｅ　９ＳｒｏｌＧａｏ　８５Ｍ　Ｊ５Ｏ２　ｓ　（ＬＳＧＭ１０１５）ａｎｄ　９Ｓｒｏ　ＪＧａｏ硝Ｍｇｏ　Ｏ２　８　（ＬＳＧＭ１０２５）　ｗｅｒｅ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ　ｂｙ　ｓｏｌｉｄ　ｓｔａｔｅ　ｒｅａｃｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄ．Ｔｈｅ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ，ｃｒｙｓｔａｌ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｉｏｎｉｃ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ　ａｎｄ　ｍｉｃｒｏｓｔｕｃｔｕｒｅ　ｏｆ　ｒＬＳＧＭ１０１５　ａｎｄ　ＬＳＧＭ１０２５　ｓａｍｐｌｅｓ　ｗｅｒｅ　ａｎａｌｙｚｅｄ　ｂｙ　Ｕｓｉｎｇ　ＥＤＳ．ＸＲＤ．ＤＣ　ｆｏｕｒ－ｐｒｏｂｅ　ａｎｄ　ＳＥＭ．ＥＤＳ　ａｎｄ　ＸＲＤ　ｓｈｏｗ　ｔｈａｔ　ＬＳＧＭ１０１５　ａｎｄ　ＬＳＧＭ１０２５　ｗｉｔｈ　ｌｏｗ　ｃｏｎｔｅｎｔ　ｏｆ　ｉｍｐｕｒｉｔｙ　ｐｏｓｓｅｓｓ　ｏｒｔｈｏｒｈｏｍｂｉｃ　ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ—ｔｙｐｅ　ｓｔｕｃｔｒｕｒｅ，ａｎｄ　ｉｍｐｕｒｉｔｙ　ｐｈＢＳｅｓ　ｈａｖｅ　ｎｏｔ　ｂｅｅｎ　ｆｏｕｎｄ　ｉｎ　ｔｈｅｍ．Ｅｌｅｃｔｉｃａｌｒ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｓｈｏｗ　ｔｈａｔ　ＬＳＧＭ１０１５　ａｎｄ　ＬＳＧＭ１０２５　ａｒｅ　ｏｘｙｇｅｎ　ｉｏｎ　ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｆａｃｔ　ｔｈａｔ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ　ｃｏｎｆｏｒｍｓ　ｔｏ　ｔｈｅ　Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ　ｅｑｕａｔｉｏｎ　ｉｎ　６７３—１０７３　Ｋ，ａｎｄ　ｔｈａｔ　ｔｈｅｖ　ｈａｖｅ　ｓｉｍｌｌａｒ　ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ　ｅｎｅｒｙ（Ｅａ一１ｇ　ｅＶ）．ＬＳＧＭ１０２５（　ＧＭ１０１５．　Ｙ＝０．３５）ｈａｓ　ｈｉｇｈｅｒ　ｉｏｎｉｃ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ　ｔｈａｎ　ＬＳ—　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｌｙ　ｄｏｐｅｄ　ｏｘｉｄｅ；ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ　ｓｔｕｃｔｒｕｒｅ；ｏｘｙｇｅｎ　ｉｏｎ　ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ；ｓｏｌｉｄ　ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ　固体氧化物燃料电池（ＳＯＦＣ）是第三代燃料电　固体电解质是ＳＯＦＣ中的最关键材料之一．　０．０８　ｍｏｌ氧化钇稳定的氧化结（即８ＹＳＺ）是当前　池，与其它类型的燃料电池相比，ＳＯＦＣ具有发电效　率高、全固化、低污染、燃料适应性强等特性，因而被　ＳＯＦＣ中最常用的固体电解质材料，但是为获得较高　的离子电导率和合理的能量密度，需要在１　０００℃高　称为２１世纪的绿色新能源之一　收稿日期：２００５－１１—２９．　．　基金项目：天津市自然科学基金（３３７００１１１）．　第一作者：赵捷（１９５８一），女，硕士，教授　维普资讯 http://www.cqvip.com

２００６年６月　赵捷，等：复合掺杂氧化物Ｌａ　Ｓｒ　ＧａｈＭｇ　Ｏ　的结构与电性能研究　・３５・　温下工作，这会引起电极烧结、界面反应、热膨胀系　数不匹配等一系列问题．所以迫切希望在不降低　结构．　１．２实验过程　ＳＯＦＣ性能的前提下降低其工作温度，因此寻求中温　下具有较高离子导电率的新型固体电解质材料倍受　国内外的关注Ｉ　５－６１．自１９９４年Ｉｓｈｉｈａｒａ等［　首先报　道镓酸镧系钙钛矿型氧化物具有较高的离子电导　率后，在国际上引起轰动，被认为是最有希望成为　中温ＳＯＦＣ的固体电解质材料之一，因而有关　制备Ｓｒ、Ｍｇ掺杂的ＬＳＧＭ１０２５和ＬＳＧＭ１０２５固　体电解质样品使用的原料为：Ｌａ：Ｏ，（分析纯）、　Ｇａ　Ｏ　（光谱纯）、ＭｇＯ（分析纯）、ＳｒＣＯ，（分析纯）．按　ＬＳＧＭ１０２５和ＬＳＧＭ１０２５的化学计量比，在ＢＰ１２１型　电子天平上称取所需质量的各种化学试剂，将称好　的试剂混合且充分研磨后，利用ＤＹ．２０台式电动压　ＬａＧａＯ３基复合氧化物的合成方法、掺杂种类、晶体　结构、导电性等一直是国内外研究的热点问　题　。　．本文采用固相反应法合成低价离子ｓｒ、Ｍｇ　掺杂量不同的ＬＳＧＭ系复合氧化物，并对其微区成　分、晶体结构及导电性等进行了研究．降低能　耗并避免杂相生成是固相法合成ＬＳＧＭ系固体电　解质要解决的关键问题．　１实验材料与方法　１．１材料设计　对钙钛矿型结构氧化物ＬａＧａＯ，，以低价离子部　分取代Ｌａ¨，Ｇａ　即不等价掺杂，为保持体系的电中　性，结构中必然产生氧空位，氧离子通过氧空位进行　迁移．因此，低价离子掺杂是提高氧离子电导率的　有效手段．　为使掺杂后化合物不产生杂相，Ａ位（即Ｌａ）和　Ｂ位（即Ｇａ）掺杂应选择与其离子半径相匹配的元　素较为合适，因此而选定掺杂元素为ｓｒ和Ｍｇ，本实　验拟合成两种不同掺杂水平的ＬＳＧＭ样品，其中一　种ｓｒ的掺杂量为１０％，Ｍｇ的掺杂量为１５％，记作　ＬＳＧＭ１０１５；另一种ｓｒ的掺杂量也为１０％，Ｍｇ的掺　杂量为２５％，记作ＬＳＧＭ１０２５．　对于ＡＢＯ　钙钛矿型氧化物，其结构稳定性可用　容忍因子ｔ来描述．能生成钙钛矿型复合氧化物的　容忍因子ｔ值范围为０．７５～１．００　．　根据ｔ的表达式　￡：　√２（　４＋（１一　）ｒ５＋ｒ３）　式中，ｒｌ，ｒ２，ｒ３，ｒ４，　分别代表ｓｒ¨，Ｌａ¨，Ｏ　，　Ｍｇ¨，Ｇａ　的离子半径，计算ＬＳＧＭ１０１５和Ｌｓ－　ＧＭ１０２５的ｔ值分别为０．８５８和０．８５４，均在０．７５～　１．００范围内．计算结果也说明虽然ＬＳＧＭ１０１５和　ＬＳＧＭ１０２５的掺杂量不同，但都有可能生成钙钛矿型　片机在１８　ＭＰａ下压制成圆片；然后对其进行等静压　处理，最后在ＤＫ．３４型高温烧结炉中烧结（微机控　制），先升温至３００℃，保温２０　ｍｉｎ，然后再以较快的　速度升温至１　４００℃烧结，保温１８０　ｍｉｎ，随炉冷却至　室温，使用英国ＯＸＦＯＲＤ公司的ＩＮＣＡ能谱仪进行成　分分析，谱图处理过程中没有被忽略的峰；样品的物　相结构采用日本理学Ｒｉｇａｋｕ　Ｄ／Ｍａｘ．２５００Ｘ射线衍　射仪进行分析，测试条件：Ｃｒ靶（Ａ＝０．２２８　９７　ｎｍ），　工作电压４０　ｋＶ，工作电流１００　ｍＡ，扫描范围１０～　１００℃，扫描速度０．０２。／ｍｉｎ；烧结样品的物相结构　是根据测定的ＸＲＤ谱，并与ＪＣＰＤＳ卡片标准图谱比　较而归属．　在３００～８００℃范围，用直流四电极法测量Ｌｓ－圈　　ＧＭ１０１５和ＬＳＧＭ１０２５样品的离子电导率；用荷兰　ＦＥＩ　Ｑｕａｎｔａ　４００环境扫描电镜，观察样品的断面形貌　与显微结构．实验流程见图１．　嚣　ｒ臣亟圃　国一．｛　ｌ断面组织观察Ｉ　图１实验流程图　Ｆｉｇ．１　Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ　ｆｌｏｗｃｈａｒｔ　２实验结果与分析　２．１样品成分分析　利用能谱仪对ＬＳＧＭ１０２５和ＬＳＧＭ１０１５样品成　分进行分析，其结果如图２、图３所示．　实验结果表明，ＬＳＧＭ１０１５和ＬＳＧＭ１０２５样品　中除了含有Ｌａ、Ｇａ、，Ｓｒ、Ｍｇ、Ｏ和少量的ｃａ元素　维普资讯 http://www.cqvip.com

・３６・　天津理工大学学报　第２２卷第３期　外，不含其它杂质元素，说明合成的两种样品的纯　交晶系的标准ＸＲＤ谱（Ｎｏ．２４—１１０２）相一致，可将　度均较高＋　０　１　２　３　４　５　６　７　８　９　１０　满量程６８４　ｅｔｓ光标：５．８６０　ｋｅＶ（７１　ｃｔｓ１　ｋｅＶ　图２　ＬＳＧＭ１０２５能谱分析图　Ｆｉｇ．２　ＥＤＳ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｏｆ　ＬＳＧＭ１０２５　Ｌ　满量程１４９　ｃｔｓ光标：６　６２０　ｋｅＶ（７　ｃｔｓ）　ｋｅＶ　图３　ＬＳＧＭ１０１５能谱分析图　Ｆｉｇ．３　ＥＤＳ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｏｆ　ＬＳＧＭ１０１５　２．２样品结构分析　图４为ＬＳＧＭ１０１５和ＬＳＧＭ１０２５样品的Ⅺ｛Ｄ谱图．　００　８０　Ｌ　６０　一　４０　一　２０　０　－　．ｎ　…６一一　．　２０　４０　６０　８０　１０Ｏ　２　０／（。）　００　８０　一　６０　一　４０　一　２０　０　－　．　＾，　．一—上一　一　２Ｏ　４Ｏ　６０　８０　ｌＯＯ　２　０／（。）　图４　ＬＳＧＭ１０１５和ＬＳＧＭ１０２５样品的ＸＲＤ谱图　Ｆｉｇ．４　ＸＲＤ　ｐａｔｔｅｒｎ　ｏｆ　ＬＳＧＭ１０１５　ａｎｄ　ＬＳＧＭ１０２５　ｓａｍｐｌｅｓ　比较实验结果和ＪＣＰＤＳ标准卡片，可以看出，　ＬＳＧＭ１０１５和ＬＳＧＭ１０２５样品ＸＲＤ谱与ＬａＧａＯ３正　两种样品归属于ＡＢＯ　型正交钙钛矿结构．ＬａＧａ０　经ｓｒ、Ｍｇ掺杂后，没有引起结构变化，说明ＡＢＯ　钙　钛矿型结构氧化物具有较稳定的晶体结构，且对Ａ　位和Ｂ位离子半径变化有较强的容忍性．　另外，基本上未发现ＬａＳｒＧａ　０　、Ｌａ　ＳｒＯ　等杂　相出现．以往的研究认为：固相反应合成法，能耗　高，烧结致密度低，在长时间高温烧结过程中，　Ｇａｚ０　易分解出Ｇａ：０（ｇ）和０：（ｇ），由于Ｇａ组分　的挥发，使Ａ位和Ｂ位阳离子摩尔比偏离化学计　量比，导致一些杂相出现，对离子导电率产生不利　影响¨　”　．本实验结果说明采用固相法，只要适　当控制工艺参数（烧结温度和时间等），也能得到　基本上无杂相的ＬＳＧＭ系氧离子导体．　根据各峰对应的晶面间距ｄ，由ＪＣＰＤＳ标准谱　图２４—１１０２，查出（ｈｋ］）值，任取３组，代人正交晶系　的ｄ与（ｈｋ１）的关系式中，算出晶格常数和晶胞体　积，结果见表１．　表１　样品的晶格参数与晶胞体积　Ｔａｂ．１　Ｌａｔｔｉｃｅ　ｐａｒａｍｅｔｅｒ　ａｎｄ　ｃｒｙｓｔａｌ　ｕｎｉｔ　ｖｏｌｕｍｅ　可见，与纯ＬａＧａＯ　相比，经Ｓｒ、Ｍｇ掺杂后的　ＬＳＧＭ１０１５和ＬＳＧＭ１０２５样品晶格常数变大，晶胞　体积增大．这是由于掺杂的ｓｒｎ（１１６　ｐｍ）、Ｍｇ　（７２　ｐｍ）离子相对Ｌａ¨（１０６　ｐｍ）和Ｇａ¨（６２　ｐｍ）　离子半径较大所致．　２．２导电性分析　图５给出了ＬＳＧＭ１０１５和ＬＳＧＭ１０２５复合掺杂　样品的电导率与温度的关系．　可见，ＬＳＧＭ１０１５和ＬＳＧＭ１０２５的电导率随温度　升高而增加，且在相同温度下掺杂量　＋Ｙ：０．３５的　ＬＳＧＭ１０２５具有较高的离子电导率．　图６为根据不同温度下的电导率数据，以】ｎ　（ｏ－Ｔ）对Ｉ／Ｔ作图而得到的．　从图６中不难看出，在６７３—１０７３　Ｋ之间ＬＳ—　维普资讯 http://www.cqvip.com

２００６年６月　赵捷，等：复合掺杂氧化物Ｌａ　Ｓｒ　Ｇａ　Ｍｇ　０　的结构与电性能研究　．３７．　１　～８　ｇ　６　●　４　ｂ　２　Ｏ　００　７ｙｃｃ　图５　ＬＳＧＭ１０１５和ＬＳＧＭｌ０２５的　离子电导率与温度的关系　Ｆｉｇ．５　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ　ｆｏｒ　ＬＳＧＭ１０１５　ａｎｄ　ＬＳＧＭｌ０２５　图６　ＬＳＧＭ１０１５和ＬＳＧＭ１０２５的Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ曲线　Ｆｉｇ．６　Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ　ｐｌｏｔ　ｏｆ　ＬＳＧＭ１　０１　５　ａｎｄ　ＬＳＧＭ１　０２５　ＧＭ１０１５和ＬＳＧＭ１０２５样品Ｌｎ（ｏ＇Ｔ）与１／Ｔ近似呈线　性关系，且两直线基本保持平行，表明其电导率与温　度的关系符合Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ方程，说明ＬＳＧＭ１０１５和　ＬＳＧＭ１０２５样品为氧离子导体．　离子导电激活能Ｅａ取决于直线的斜率．利用　最小二乘法对实验数据进行处理，可得到两条直线　的斜率，再由斜率计算出不同掺杂样品ＬＳＧＭ１０１５　和ＬＳＧＭ１０２５的离子迁移活化能Ｅａ分别为１．００４　ｅＶ和０．９９８　ｅＶ；显然两个样品的离子活化能Ｅｏ很　相近．由Ａ￣ｈｅｎｉｕｓ方程知，在　一定，Ｅｏ也相近，决　定导电性的因素主要为　。．　。取决于空位浓度和　结构参数，ＬＳＧＭ１０１５和ＬＳＧＭ１０２５的结构参数相差　不大，由于Ｍｇ的掺杂量不同，造成两者的氧空位浓　度不同．ＬＳＧＭ１０２５的掺杂量较多（０．３５），氧空位浓　度较高，有利于氧离子迁移，故表现出较高的电导　率．但低价金属Ｓｒ、Ｍｇ的过量掺杂对离子导电性能　也不利，因为在氧空位浓度高到一定程度时易产生　空位缺陷团聚簇合，这样会减少晶体中的有效空位　浓度，导致离子电导率降低．可见，低价金属Ｓｒ、Ｍｇ　的适量掺杂对离子导电性能有利．　２．３断面组织形貌分析　用ＳＥＭ观察了ＬＳＧＭ１０１５样品的断面形貌，其　结果见图７．　（ａ）表面（低倍）　．　孔内（商倍Ｊ　图７　ＬＳＧＭ１０１５样品的断面显微组织形貌（ＳＥＭ）　Ｆｉｇ．７　Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｍｏｒｐｈｏｌｙ　ｏｆ　ＬＳＧＭ１０１５　ｏｎ　ｓｕｒｆａｃｅ（ａ）ａｎｄ　ｉｎ　ｈｏｌｅ（ｂ）（ＳＥＭ）　作低倍（×２００）观察，可看到断面上有较多微　孔，这主要是在反应过程中释放出较多气体的缘故，　说明样品内部不够致密，这对电导率会产生不良影　响，同时也可推断该样品的烧结强度较低．　高倍（×５　０００）下观察微孔表面的组织形貌，不　难看出，晶粒的生长情况较好，且晶粒尺寸也较小，　但不够均匀．　３　结　论　１）ＸＲＤ分析表明，在相对较低温度下合成的　ｓｒ、Ｍｇ复合掺杂ＬＳＧＭ１０１５和ＬＳＧＭ１０２５样品均具　有正交钙钛矿结构．　２）只要适当控制工艺参数，采用固相反应法也　能合成基本上无杂相的ＬＳＧＭ系固体电解质．　３）导电性分析结果表明，ＬＳＧＭ１０１５和Ｌｓ—　ＧＭ１０２５两种陶瓷材料均为氧离子导体，且离子迁移　活化能Ｅａ　１ｅＶ．　４）低价金属元素ｓｒ，Ｍｇ的适量掺杂，有可能获　维普资讯 http://www.cqvip.com

・３８・　天津理工大学学报　第２２卷第３期　得较高的有效氧空位浓度，有利于提高ＬＳＧＭ系氧　离子导体的电导率．　参考文　献：　［９］ＤＲＥＮＮＡＮ　Ｊ，ＺＥＬＩＺＫＯ　Ｖ，ＨＡＹ　Ｄ，ｅｔ　１．Ｃｈａｒａａｃｔｅｒｉｚａ—　ｔｉｏｎ，ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ　ａｎｄ　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｏｘｙｇｅｎ　—ｉｏｎ　ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｌａｏ　９　Ｓ　Ｇａｏ　８Ｍｇｏ　２Ｏ３［Ｊ］．Ｊ　Ｍａｔｅｒ　Ｃｈｅｍ，１９９７，７（１）：７９—８３．　ＳＴ－ＰＩＥＲＲＥ　Ｊ，ＷＩＬＫＩＮＳＯＮ　Ｄ　Ｐ．Ｆｕｅｌ　ｃｅｌｌｓ：ａ　ｎｅｗ，ｅｆｆｉ—　［１０］ＬＥＲＣＨ　Ｍ，ＢＯＹＳＥＮ　Ｈ，ＨＡＮＳＥＮ　Ｔ．Ｈｉｇｈ—ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｎｅｕｔｒｏｎ　ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ　ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｐｕｒｅ　ａｎｄ　ｄｏｐｅｄ　Ｉｍ．ｎｔｈａ—　ｃｉｅｎｔ　ａｎｄ　ｃｌｅａｎｅｒ　ｐｏｗｅｒ　ｓｏｕｒｃｅ［Ｊ］．ＡＩＣＨＥ　Ｊｏｕｒｎａｌ，２００１，　４７（７）：１４８２—１４８７．　ｎｕｎ　ｇａｌｌａｔｅ［Ｊ］．Ｊ　Ｐｈｙｓ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｌｉｄｓ，２００１，６２：４４５—４５５．　［１　１］ＴＲＯＦＩＭＥＮＫＯ　Ｎ，ＵＬＬＭＡＮＮ　Ｈ．Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　ｍｅｔａｌ　ｄｏｐｅｄ　［２］　卢俊彪，张中大，唐子龙．固体氧化物燃料电池的研究　进展［Ｊ］．稀有金属材料与工程，２００５，３４（８）：１１７７—　１１８０．　［３］　ＳＥＲＶＩＣＥ　Ｒ　Ｆ．Ｂｒｉｎｇｉｎｇ　Ｆｕｅｌ　Ｃｅｌｌｓ　Ｄｏｗｎ　ｔｏ　Ｅａｒｔｈ［Ｊ］．　Ｓｃｉｅｎｃｅ，１９９９，２８５：６８２－６８５．　［４］　孙家枢，赵捷，王志奇．固体氧化物燃料电池电解质　用离子导体［Ｊ］．天津理工学院学报，２００１，１７（２）：２８—　３３．　［５］　ＨＵＵＳＭＡＮＳ　Ｊ　Ｐ　Ｐ．ＶＡＮＢＥＲＫＥＬ　Ｆ　Ｐ　Ｆ，ＣＨＲＩＳＴＥ　Ｇ　Ｍ．　Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ＳＯＦＣ—ａ　ｐｒｏｍｉｓｅ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　２１　ｃｅｎ—　ｔｕｒｙ［Ｊ］．Ｊ　Ｐｏｗｅｒ　Ｓｏｕｒｃｅｓ，１９９８，７１：１０７—１１０．　［６］　魏丽，陈诵英，王琴．中温固体氧化物物燃料电池　电解质材料的研究进展［Ｊ］．稀有金属，２００３，２７（２）：　２８６—２９８．　［７］　ＩＳＨＩＨＡＲＡ　Ｔ，ＭＡ１’ｓＵＤＡ　Ｈ，ＴＡＫＩＴＡ　Ｙ．Ｄｏｐｅｄ　ＬａＧａＯ３　ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ　ｔｙｐｅ　ｏｘｉｄｅ　ａｓ　ａ　ｎｅｗ　ｏｘｉｄｅ　ｉｏｎｉｃ　ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ［Ｊ］．　Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，１９９４，１１６：３８０１—３８０６．　［８］　尧巍华，唐子龙，罗绍华，等．晶体结构对ＬａＧａＯ　基固　体电解质电性能的影响［Ｊ］．硅酸盐学报，２００３，３１　（１）：１—４．　Ｌａｎｔｈａｎｕｍ　ｇａｌｌａｔｅｓ［Ｊ］．Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｉｏｎｉｃｓ，１９９９，１１８：　２１５—２２７．　［１２］郑文君，武丽艳，彭定坤，等．　Ｓｒ０。Ｇａｏ。Ｍｇｏ：Ｏ　一８　的柠檬酸法制备与表征［Ｊ］．无机功能材料，２００１，１６　（２）：３５８—３６２．　［１３］尧巍华，唐子龙，张中太，等．Ｌ丑ｏ，Ｓｒｏ，Ｇａｏ。Ｍｇｏ：Ｏ：。　固体电解质合成及其性能［Ｊ］．稀有金属材料与工程，　２００４，３３（３）：２９７—２９９．　［１４］王中林，康振川．功能与智能材料结构演化与结构分　析［Ｍ］．北京：科学出版社，２００２．　［１５］ＤＪＵＲＡＤＯ　Ｅ，ＬＡＢＥＡＵ　Ｍ．Ｓｅｃｏｎｄ　ｐｈａｓｅ　ｉｎ　ｄｏｐｅｄ　Ｌａｎ—　ｔｈａｎｕｍ　ｇａｌｌａｔｅ　ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ［Ｊ］．Ｊ　Ｅｕｒ　Ｃｅｒａｍ　Ｓｏｃ，１９９８，　１８：１３９７—１４０４．　［１６］张乃庆，孙克宁，吴宁宁，等．镓酸镧固体电解质制备　方法的研究进展［Ｊ］．电子工业技术，２００４，２５（３）：９９—　１０２．　［１７］ＡＨＭＡＤ—ＫＨＡＮＬＯＵ　Ａ，ＴＩＥＴＺ　Ｆ，ＳＴＯＶＥＲ　Ｄ．Ｍａｔｅｒｉｌａ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　８Ｓｒｏ　２Ｇａｏ　９＋　Ｍｇｏ　ｌ　０３８　ａｓ　ａ　ｆｕｎｃｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｇａ　ｃｏｎｔｅｎｔ［Ｊ］．Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｉｏｎｉｃｓ，２０００，１３５：５４３—５５１．