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专利名称：一种无液封合成砷化镓多晶材料的工艺方法专利类型：发明专利
发明人：赖占平,高瑞良,齐得格,周春锋申请号：CN200310121161.8申请日：20031222公开号：CN1632187A公开日：20050629
摘要：本发明提供一种无液封合成砷化镓多晶材料的工艺方法，采用该工艺方法在合成砷化镓多晶材料时无需氧化硼封盖层，可以实现批量合成满足化合物半导体单晶材料生长工业化要求的半导体多晶材料。
申请人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
地址：300220 天津市河西区岩峰路1号
国籍：CN
代理机构：信息产业部电子专利中心
代理人：郭禾
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