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专利名称：一种新的制备(002)织构Fe薄膜的方法专利类型：发明专利发明人：马斌,何世海,金庆原申请号：CN200710173302.9申请日：20071227公开号：CN1012156A公开日：20080709
摘要：本发明属于信息存储技术领域，具体为一种制备(002)织构Fe薄膜的方法。本发明通过热处理的方式实现Fe磁性薄膜完全的(002)取向，具体是：首先在玻璃衬底上，通过磁控溅射的方式沉积一层厚度为10纳米到50纳米的Fe薄膜；然后，将样品在真空环境中退火，加热的方式是用卤素灯对Fe膜进行辐照，退火温度在400℃到600℃之间，时间为10－20分钟。由此制备得到的Fe薄膜具有完全的(002)取向。本发明系统研究制备过程中影响最终结构的各个因素，为用磁控溅射的方式制备Fe(002)织构磁性薄膜提供了完整的参数要求。在(002)织构Fe薄膜上进一步生长FePt薄膜，使得L1相FePt薄膜的C轴垂直于薄膜表面，成为性能优良的磁存储介质。
申请人：复旦大学
地址：200433 上海市邯郸路220号
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
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