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专利名称：C－MOS电荷泵专利类型：实用新型专利
发明人：来金梅,王烜,张海清,孙承绶,章倩苓申请号：CN200420021596.5申请日：20040405公开号：CN2694619Y公开日：20050420
摘要：本实用新型涉及一种应用于高速锁相环中的新型C－MOS电荷泵电路。它的核心部分为一带有参考电压电路的双管开关型电路，并用一运算放大器作为电压跟随器，在运放输出端加入一参考电压电路，减小了电荷泵的开关效应对电路的影响，降低了电荷泵输出电压的跳变。仿真结果表明在偏置电流20uA的条件下，输出电压有一个较大的输出范围，并且在上拉信号和下拉信号相同时输出电压能保持稳定，降低了原来结构中的抖动现象，能很好的满足高速锁相环的性能要求。
申请人：上海迪申电子科技有限责任公司
地址：200433 上海市国定路335号7006室
国籍：CN
代理机构：上海欣创专利事务所
代理人：袁会庆
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